Качество Al2O3 керамическое & Керамика стеатита производитель

С быстрым развитием электрических транспортных средств (ЭВ), скоростных железных дорог и новых систем зарядки энергии тепловое управление силовых устройств стало важным фактором надежности системы. The high thermal conductivity silicon nitride (Si₃N₄) ceramic substrate has emerged as a key material for advanced packaging and heat dissipation in third-generation semiconductor devices such as IGBTs, MOSFET и SiC модули. Изготовленный из высокочистого порошка нитрида кремния, субстрат синтерируется при температурах выше 2000 °C с использованием фирменной формулы и горячего прессования.Он достигает теплопроводности более 80 Вт/m·K при сохранении отличной электрической изоляцииПо сравнению с алюминиевым спиртом и нитридом алюминия, керамика Si3N4 обладает превосходной прочностью и теплостойкостью.обеспечение более длительного срока службы устройства и более высокой стабильности системы. В модулях привода электромобилей, инверторах, преобразователях постоянного тока и постоянного тока и станциях быстрой зарядки керамическая подложка Si3N4 эффективно снижает температуру соединения и повышает эффективность рассеивания тепла.Его исключительная прочность на переломе и устойчивость к тепловому циклированию делают его идеальным для суровых условий, таких как гибридные транспортные средства и энергосистемы железнодорожного транспорта. Помимо электромобильной промышленности, нитрид кремния также используется в системах тяги железных дорог, модулях электронного управления мощностью, промышленных инверторах и солнечных инверторах.С их сочетанием высокой теплопроводности, электрическая изоляция и надежность, Si3N4 субстраты переопределяют будущее упаковки силовой электроники и теплового управления.

Поскольку технологии SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия) продолжают менять структуру промышленности силовой электроники, спрос на надежные высокопроизводительные упаковочные материалы растет.Керамические субстраты из нитрида кремния (Si3N4), с низкими диэлектрическими потерями, высокой изоляционной прочностью и исключительной механической прочностью, стали лучшим выбором для передовых приложений силовых модулей. Изготовленный из высокочистого порошка Si3N4 и синтерированный выше 2000°C, керамический субстрат из нитрида кремния достигает диэлектрической постоянной ниже 8 и тангенса потери (tanδ) < 0.001, обеспечивающий минимальные потери энергии при высоких частотах.субстрат сохраняет структурную целостность даже при суровых условиях теплового цикла. Для высокопроизводительных полупроводниковых модулей, таких как IGBT, MOSFET и устройства SiC, низкое диэлектрическое свойство обеспечивает эффективную передачу сигнала,в то время как высокая механическая прочность повышает надежность и сопротивление вибрациямПо сравнению с алюминиевым спиртом и нитридом алюминия, субстраты Si3N4 сочетают в себе высокую теплопроводность (> 80 W/m·K) с превосходной прочностью на перелом, что делает их идеальными для систем привода электромобилей.устройства управления тягой железных дорог, и модули быстрой зарядки. Сегодня керамические подложки из нитрида кремния широко используются в системах управления двигателями новой энергии, промышленных инверторах, модулях преобразования мощности и усилителях базовых станций 5G,обеспечивает стабильную изоляцию и эффективное теплоотведениеС их непревзойденным балансом тепловых, электрических и механических характеристик, Si3N4 субстраты переопределяют стандарты полупроводниковой упаковки следующего поколения.

В электродвигателях, шпинделях станков и системах ветряных турбин клиенты сталкиваются с повторяющимися проблемами износа подшипников и электрической коррозии в условиях высоких скоростей и температур. Традиционные стальные шарики имеют тенденцию перегреваться, окисляться и выходить из строя при воздействии блуждающих токов — сокращая срок службы системы и увеличивая затраты на техническое обслуживание. Для решения этих проблем высокопроизводительный керамический шарик из нитрида кремния, полученный методом горячего изостатического прессования (ГИП), представляет собой проверенное решение.Изготовленный из сверхчистого порошка Si₃N₄ и спеченный при температуре выше 2000°C, процесс ГИП обеспечивает полную плотность и безпористую структуру, что приводит к исключительной прочности и термической стабильности. Керамический шарик сочетает в себе высокую электрическую изоляцию с высокой механической прочностью, предотвращая электрическую питтинг-коррозию и обеспечивая стабильную работу даже при температурах до 1000°C. Веся всего 40% от веса стального шарика, он снижает инерцию вращения и тепловыделение. Его самосмазывающаяся поверхность минимизирует трение и обеспечивает работу без технического обслуживания, что идеально подходит для долгосрочной надежности в электродвигателях и прецизионных шпинделях. Области применения включают: Подшипники стоматологических боров (≈1 мм) — обеспечение стабильности на сверхвысоких скоростях Подшипники электродвигателей (≈10 мм) — устранение электрической эрозии Подшипники генераторов ветряных турбин (≈50 мм) — повышение долговечности и безопасности Обладая преимуществами легкой конструкции, износостойкости, изоляции и длительного срока службы, керамические шарики из нитрида кремния, полученные методом ГИП, переопределяют стандарт надежности для современной подшипниковой техники.